NVD6824NL单N沟道MOSFET

安森美 (onsemi) NVD6824NL单N沟道MOSFET具备低R_DS(on)，可将导通损耗降至最低，同时兼具大电流能力。此系列MOSFET的漏源电压为100V，最大漏源导通电阻为20mΩ，漏极连续电流为41A。NVD6824NL MOSFET通过AEC-Q101认证，且具备PPAP能力。此系列MOSFET具备规定的雪崩能量。NVD6824NL MOSFET不含铅、卤素/BFR，符合RoHS标准。此系列MOSFET适用于汽车应用，如电磁阀驱动器和升压开关。