HB 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT

STMicroelectronics HB 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT 采用先进的具有专利的沟槽式栅极和场终止型结构。 这些新 HB 器件在传导和开关损耗性能之间中取得折衷，使频率转换器的效率实现最大化。 VCE(sat) 温度系数稍正，参数分布紧密，因而并联运行更为安全。
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
数据表
3,169库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 260 W - 55 C + 175 C STGP30H60DFB Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
数据表
79库存量
1,000预期 2026/5/4
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最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 600 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 260 W - 55 C + 175 C STGB30H60DFB Reel, Cut Tape, MouseReel