MRF101射频功率LDMOS晶体管

NXP Semiconductors MRF101射频功率LDMOS晶体管是超耐用型N通道增强模式横向MOSFET，设计用于提供高达250MHz性能。这些晶体管集成了ESD保护特性，具有更宽的负栅-源极电压范围，可改善C类运算。这些晶体管提供两个引脚分配版本，这两个版本可以彼此镜像以支持推挽配置，从而进一步提高灵活性。MRF101晶体管非常适合用于高电压驻波比 (VSWR) 工业、科学和医疗应用。