您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

返回至搜索结果

看到错误？

FDMC8200

Name: onsemi FDMC8200
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMC8200
Price: 9.52 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

512-FDMC8200

制造商编号：

FDMC8200

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET DUAL N-CHANNEL PowerTrench

数据表:

FDMC8200 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解onsemi FDMC8200详情

库存量: 2,141

库存：: 2,141 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 20 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥10.7576	¥10.76
	¥6.7122	¥67.12
	¥4.4409	¥444.09
	¥3.4917	¥1,745.85
	¥3.1527	¥3,152.70
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥2.7459	¥8,237.70

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	Power-33-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	18 A
Rds On-漏源导通电阻:	16 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1 V
Qg-栅极电荷:	7.3 nC, 16 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	1.9 W, 2.2 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	PowerTrench
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
配置:	Dual
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	TH
下降时间:	1.3 ns, 6 ns
正向跨导 - 最小值:	29 S, 56 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	3.1 ns, 4 ns
系列:	FDMC8200
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	2 N-Channel
典型关闭延迟时间:	35 ns, 38 ns
典型接通延迟时间:	11 ns, 13 ns
单位重量:	186 mg

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

FDMC8200 数据表

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

FDMS36xxS功率级非对称双MOSFET

Fairchild Semiconductor FDMS36xxS功率级非对称双MOSFET模块是市面上所有5mmx6mm双MOSFET解决方案中输出电流能力最高的产品。Fairchild FDMS36xxS非对称双MOSFET模块将一个控制和同步MOSFET模块以及一个单片肖特基体二极管集成在一个PQFN封装中。这些器件的开关节点已获内部连接，能够轻易进行同步降压转换器的布局和走线。控制MOSFET和同步MOSFET设计用于为高达30A的输出电流提供最佳功效。这些Fairchild Semiconductor器件可在高性能计算的额定击穿电压下，获得低于2mΩ的业界领先低端rDS(on)。FDMS36xxS MOSFET模块经过优化，可最大程度减小300kHz-600kHz范围的综合传导损耗和开关损耗，为负载点和多相同步降压DC-DC应用带来可靠的最高功效。
了解更多

FDMC8x N-Ch Gate PowerTrench® MOSFETs

onsemi FDMC8x N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized for the on-state resistance and yet maintains superior switching performance. FDMC8x MOSFETs are designed for use in DC-DC conversion applications.

PowerTrench® MOSFET

仙童提供业界最齐全的 PowerTrench® MOSFET 产品组合。您可以从多种技术中选择适合您应用的 MOSFET。仙童提供 N 沟道和 P 沟道版本的 MOSFET，利用其先进的 Power Trench® 工艺，该工艺经优化实现了低 R_DS(ON) 开关性能和坚固性。这些 PowerTrench® MOSFET 可满足几乎任何应用的需要，如负载开关、一次开关、移动计算、直流-直流转换器、同步整流器等等。
了解更多

FDMC8200/FDMC8296 Dual N-Ch PowerTrench® MOSFET

The onsemi FDMC8200 and FDMC8296 Dual N-Channel PowerTrench® MOSFETs are 30V, 9.5 mΩ, and 20 mΩ devices that include two specialized N-Channel MOSFETs in a dual Power33 (3mm x 3mm MLP) package. The switch node of the onsemi FDMC8200 / FDMC8296 has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET and synchronous MOSFET in these onsemi devices are designed to provide optimal power efficiency. The FDMC8200 / FDMC8296 is optimized for use in mobile computing, mobile Internet devices, and general purpose point of load applications.