PrimePACK™3+ B系列模块

英飞凌科技PrimePACK™3+ B系列模块设计采用沟槽/场终止型IGBT5和发射器控制的5个二极管。这些模块具有扩展工作温度、高短路能力和出色的稳健性。PrimePACK™3+模块具有大爬电距离和间隙距离、大功率和热循环能力以及高功率密度。这些模块非常适合用于大功率转换器、电机驱动器、太阳能设备、UPS系统、牵引驱动器和风力涡轮机。

结果: 6
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 产品 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 在25 C的连续集电极电流 栅极—射极漏泄电流 Pd-功率耗散 封装 / 箱体 最小工作温度 最大工作温度 封装
Infineon Technologies IGBT 模块 1700 V, 1800 A dual IGBT module 2库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 2.1 V 1.8 kA 400 nA Module - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 1500 A dual IGBT module 8库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.7 V 1.5 kA 400 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 900 A dual IGBT module 6库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.7 V 1.5 kA 400 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1700 V, 1500 A dual IGBT module 5库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.75 V 1.5 kA 400 nA 1.5 MW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FF1500R17IP5PBPSA1
Infineon Technologies IGBT 模块 1700 V, 1500 A dual IGBT module 2库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.75 V 1.5 kA 400 nA 1.5 MW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 PP IHM I 交货期 13 周
最低: 1
倍数: 1

IGBT Silicon Modules 1.2 kV 1.7 V 1.8 kA 400 nA 250 mm x 89 mm - 40 C + 175 C Tray