结果: 6
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 产品
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
在25 C的连续集电极电流
栅极—射极漏泄电流
Pd-功率耗散
封装 / 箱体
最小工作温度
最大工作温度
封装
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 900 A dual IGBT module
数据表
6库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.7 V 1.5 kA 400 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 1500 A dual IGBT module
数据表
8库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.7 V 1.5 kA 400 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1700 V, 1500 A dual IGBT module
数据表
5库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.75 V 1.5 kA 400 nA 1.5 MW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 PP IHM I
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 3
倍数： 3

IGBT Silicon Modules 1.2 kV 1.7 V 1.8 kA 400 nA 250 mm x 89 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1700 V, 1800 A dual IGBT module
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 1
倍数： 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 2.1 V 1.8 kA 400 nA Module - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FF1500R17IP5PBPSA1
Infineon Technologies IGBT 模块 1700 V, 1500 A dual IGBT module
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 1
倍数： 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.75 V 1.5 kA 400 nA 1.5 MW - 40 C + 175 C Tray