CoolMOS™ C7 Gold (G7) 功率MOSFET

Infineon Technologies CoolMOS™ C7 Gold (G7) 功率MOSFET采用创新型无引线SMD TO (TOLL) 封装（采用开尔文源极概念）。G7 MOSFET将经过改进的600V和650V CoolMOS™ G7技术、4引脚开尔文源极功能以及无引线TO封装的更高热性能相结合。因此，该SMD解决方案适合用于大电流硬开关拓扑，如高达3kW的功率因数校正 (PFC)。600V CoolMOS™ G7 MOSFET可用于高端LLC等谐振电路。

结果: 12
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
1,354库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 174 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
2,005库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER NEW
数据表
1,783库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 141 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
1,483库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
2,682库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 44 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
2,804库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 4.7 V 17 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER NEW
数据表
2,122库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 75 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 123 nC - 55 C + 150 C 391 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
3,979库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
21库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER NEW
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 108 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
无库存交货期 17 周
最低： 2,000
倍数： 2,000
卷轴: 2,000

Si CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
交货期 18 周
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

Si CoolMOS Reel, Cut Tape