N沟道OptiMOS™ 7 80V功率MOSFET

英飞凌N沟道OptiMOS™ 7 80V功率MOSFET是一款N沟道、标准电平设备，具有优异的热阻性能。OptiMOS 7 80V功率MOSFET系列具有软恢复体二极管，额定温度高达175°C。英飞凌OptiMOS 7 80V功率MOSFET采用PG-TDSON-8封装，针对电机驱动与同步整流应用进行了优化设计。

结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
数据表
2,197库存量
10,000预期 2026/9/3
最低： 1
倍数： 1
: 5,000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 122 A 3.4 mOhms 20 V 3.2 V 34 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
数据表
2,030库存量
10,000在途量
最低： 1
倍数： 1
: 5,000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 167 A 2.4 mOhms 20 V 3.2 V 49 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8
数据表
6,553库存量
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 209 A 1.9 mOhms 20 V 3.2 V 60 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape