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SQS660CENW-T1_GE3

Name: Vishay SQS660CENW-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQS660CENW-T1_GE3
Price: 10.47 RMB
Availability: OutOfStock

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请参阅产品规格

Mouser编号：

78-SQS660CENW-T1_GE3

制造商编号：

SQS660CENW-T1_GE3

制造商：

Vishay / Siliconix

说明：

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

数据表:

SQS660CENW-T1_GE3 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerPAK-1212-8W
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	18 A
Rds On-漏源导通电阻:	11.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	17.4 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	62.5 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	TrenchFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay / Siliconix
配置:	Single
下降时间:	5 ns
正向跨导 - 最小值:	26 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	4 ns
系列:	SQS
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	TrenchFET Power MOSFET
典型关闭延迟时间:	20 ns
典型接通延迟时间:	12 ns

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已选择的属性: 0

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数据表

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Models

R-C Thermal Model Parameters

Technical Resources

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 德国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

SQS660CENW汽车用N沟道60V MOSFET

Vishay/Siliconix SQS660CENW汽车用N沟道60V MOSFET是符合AEC-Q101标准的TrenchFET^®功率MOSFET。SQS660CENW具有18A I_D和60V V_DS。该单一配置器件采用PowerPAK^® 1212-8W封装，工作结温和储存温度范围为-55°C至+175°C。

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在途量:: 5,846

预期 2026/9/4
生产周期：: 30

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥11.8311	¥11.83
	¥7.4241	¥74.24
	¥4.9155	¥491.55
	¥3.8307	¥1,915.35
	¥3.4804	¥3,480.40
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥2.8702	¥8,610.60

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

SQS660CENW-T1_GE3

制造商： Vishay / Siliconix

说明： MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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SQS660CENW汽车用N沟道60V MOSFET

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特色产品 VISHAY

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