STDRIVEG211半桥栅极驱动器

STMicroelectronics  STDRIVEG211半桥栅极驱动器设计用于N沟道增强模式GaN,高侧驱动器部分可承受高达220V电压轨。这些驱动器具有大电流能力、短传播延迟和出色的延迟匹配,并集成了低压差稳压器 (LDO)。这使得它们非常适合驱动高速GaN。STDRIVEG211半桥栅极驱动器具有专为硬开关应用设计的电源UVLO、防止交叉导通的互锁功能以及集成SmartSD技术的过流比较器。这些驱动器提供了扩展的输入引脚范围,便于与控制器连接。待机引脚可在非活动期或突发模式下降低功耗。应用包括太阳能微型逆变器、D类音频放大器、电动自行车、LED灯、USB-C、电动工具和机器人。

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STMicroelectronics 栅极驱动器 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 220V 674库存量
最低: 1
倍数: 1

Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT QFN-18 2 Driver 3 Output 1 A, 2.4 A 3.3 V 20 V Inverting 22 ns 11 ns - 40 C + 125 C Tray
STMicroelectronics 栅极驱动器 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 220V
700在途量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT QFN-18 2 Driver 2 Output 10.7 V 18 V Inverting, Non-Inverting 22 ns 11 ns - 40 C + 125 C Reel, Cut Tape, MouseReel