DMT47M2LDVQ双N沟道增强模式MOSFET

Diodes Inc. DMT47M2LDVQ双N沟道增强模式MOSFET是一款40V MOSFET，具有低RDS(ON)，可最大限度地降低导通状态损耗。该器件具有低输入电容和快速开关速度。Diodes Inc. DMT47M2LDVQ MOSFET设计用于满足汽车应用的严格要求。产品符合AEC-Q101标准，并由PPAP提供支持。

结果: 4
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
封装
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 2K
数据表
30库存量
10,000在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30.2 A 10.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 14 nC - 55 C + 150 C 2.34 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 2K
数据表
84,000工厂有库存
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30.2 A 10.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 14 nC - 55 C + 150 C 2.34 W Enhancement Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 3K
数据表
无库存交货期 40 周
最低： 3,000
倍数： 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30.2 A 10.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 14 nC - 55 C + 150 C 2.34 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 3K
数据表
无库存交货期 40 周
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30.2 A 10.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 14 nC - 55 C + 150 C 2.34 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape