结果: 4
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—基极电压 VCBO
发射极 - 基极电压 VEBO
集电极—射极饱和电压
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
资格
封装
Diodes Incorporated 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
数据表
2,452库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 1.5 V 2.7 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
数据表
909库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 7 V 2.7 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
数据表
311库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 50 V 70 V 7 V 300 mV 2.6 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
数据表
8库存量
5,000预期 2027/2/22
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 1.2 V 2.6 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape