MJD 车规中功率晶体管

Diodes Inc 的 MJD 车规中功率晶体管是双极晶体管,已通过 AEC-Q101 认证,具有 PPAP 能力,并在经过 IATF16949 认证的设施中制造。每个器件的集电极-发射极击穿电压为 50V 或 100V(最小值)。Diodes Inc 的 MJD 车规中功率晶体管采用 TO-252(DPAK)封装,是功率开关或放大应用的理想选择。

结果: 4
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—基极电压 VCBO 发射极 - 基极电压 VEBO 集电极—射极饱和电压 Pd-功率耗散 最小工作温度 最大工作温度 资格 封装
Diodes Incorporated 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K 5,679库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 50 V 70 V 7 V 300 mV 2.6 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K 1,061库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 1.2 V 2.6 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K 1,040库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 7 V 2.7 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
2,395预期 2026/4/29
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 1.5 V 2.7 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape