AFGHxL40T车规级IGBT

安森美半导体AFGHxL40T车规级IGBT符合AEC-Q101标准,采用坚固的场终止型VII沟槽结构。安森美半导体AFGHxL40T IGBT确保耐用性和高性价比。该IGBT可在高需求开关情况下提供出色的性能,具有低导通电压和开关损耗。该器件非常适合用于汽车应用中的硬开关和软开关拓扑。

结果: 6
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 封装 / 箱体 安装风格 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 栅极/发射极最大电压 在25 C的连续集电极电流 Pd-功率耗散 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT - Automotive Grade 1200 V 40A 438库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3LD Through Hole Single 1.2 kV 2 V 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C AFGHL40T120RW-STD Tube
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT - Automotive Grade 1200 V 40 A, TO-247 4L 406库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-4LD Through Hole Single 1.2 kV 2 V 20 V 80 A 416 W - 55 C + 175 C AFGH4L40T120RWD-STD Tube
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS7 1200V 40A SCR IGBT STAND-ALONE TO247 4L 447库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.66 V 20 V 80 A 416 W - 55 C + 175 C AFGH4L40T120RW Tube
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS7 1200V 40A SCR IGBT TO247 4L 899库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.66 V 20 V 80 A 416 W - 55 C + 175 C AFGH4L40T120RWD Tube
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS7 1200V 40A SCR IGBT TO247 3L 406库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.42 V 20 V 80 A 652 W - 55 C + 175 C AFGHL40T120RWD Tube
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS7 1200V 40A SCR IGBT STAND-ALONE TO247 3L 223库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.42 V 20 V 80 A 652 W - 55 C + 175 C AFGHL40T120RW Tube