XBee™ 2和3 IGBT模块

英飞凌 XHP™ 2和3 IGBT模块专为高功率应用设计，电压范围为1.7kV至6.5kV。英飞凌模块非常适合牵引、CAV及中压驱动等苛刻应用。该器件采用可扩展设计，具有出色的可靠性和最高功率密度。

结果: 8
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数量 RoHS ECAD模型 产品
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
在25 C的连续集电极电流
栅极—射极漏泄电流
Pd-功率耗散
封装 / 箱体
最小工作温度
最大工作温度
封装
Infineon Technologies IGBT 模块 XHP2 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC
数据表
5库存量
最低： 1
倍数： 1

Module Dual 2.3 kV 1.85 V 400 nA 2.4 MW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1700 V, 1200 A dual IGBT module
数据表
24库存量
最低： 1
倍数： 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.2 kA 400 nA 1.2 MW Module - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1700 V, 1800 A dual IGBT module
数据表
11库存量
最低： 1
倍数： 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.8 kA 400 nA 1.8 MW Module Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1700 V, 1200 A dual IGBT module
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 4
倍数： 4

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.07 kA 400 nA 1.2 MW Module - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 XHP2 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC / pre-applied thermalinterface material
数据表

Module Dual 2.3 kV 1.85 V 400 nA 2.4 MW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1700 V, 1800 A dual IGBT module
数据表
19库存量
最低： 1
倍数： 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.8 kA 400 nA 1.8 MW Module Tray
Infineon Technologies IGBT 模块
数据表
更多信息可用

IGBT Module Module 1.7 kV 1.68 V 1.4 kA 200 nA 1.4 MW + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块
数据表
更多信息可用

IGBT Module Module 1.7 kV 1.65 V 2 kA 20 mW + 150 C Tray