XBee™ 2和3 IGBT模块

英飞凌科技 XHP™ 2和3 IGBT模块设计用于1.7kV至6.5kV的大功率应用。英飞凌模块非常适合用于牵引、CAV和中压驱动器等高要求应用。该器件采用可扩展设计,具有出色的可靠性和最高功率密度。

结果: 4
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 在25 C的连续集电极电流 栅极—射极漏泄电流 Pd-功率耗散 封装 / 箱体 最小工作温度 最大工作温度 封装
Infineon Technologies IGBT 模块 1700 V, 1200 A dual IGBT module 24库存量
最低: 1
倍数: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.2 kA 400 nA 1.2 MW Module - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1700 V, 1200 A dual IGBT module
20库存量
最低: 1
倍数: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.07 kA 400 nA 1.2 MW Module - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1700 V, 1800 A dual IGBT module 13库存量
最低: 1
倍数: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.8 kA 400 nA 1.8 MW Module Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1700 V, 1800 A dual IGBT module
19库存量
最低: 1
倍数: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.8 kA 400 nA 1.8 MW Module Tray