BGAV1A10E6327XTSA1

Name: Infineon BGAV1A10E6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BGAV1A10E6327XTS
Price: 3.44 RMB
Availability: Discontinued

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-BGAV1A10E6327XTS

制造商编号：

BGAV1A10E6327XTSA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

射频放大器 RF SILICON MMIC

寿命周期:

NRND:

不建议用于新设计。

数据表:

BGAV1A10E6327XTSA1 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Infineon Technologies BGAV1A10E6327XTSA1详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	射频放大器
RoHS:
工作频率:	3.4 GHz to 3.8 GHz
工作电源电压:	1.7 V to 1.9 V
工作电源电流:	5 mA
增益:	22 dB
NF—噪声系数:	1.3 dB
类型:	Low Noise Amplifiers
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	ATSLP-10-3
技术:	Si
P1dB - 压缩点:	3 dBm
OIP3 - 三阶截点:	32 dBm
最小工作温度:	- 30 C
最大工作温度:	+ 85 C
封装:	Reel
商标:	Infineon Technologies
输入返回损失:	13 dB
隔离分贝:	32 dB
通道数量:	1 Channel
Pd-功率耗散:	90 mW
产品类型:	RF Amplifier
工厂包装数量:	4500
子类别:	Wireless & RF Integrated Circuits
测试频率:	3.5 GHz
零件号别名:	BGA V1A10 E6327 SP001628074
单位重量:	2.450 mg

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

BGAV1A10E6327XTSA1 数据表 (PDF)

Product Catalogs

此功能要求启用JavaScript。

合规代码

CNHTS:: 8542339000
CAHTS:: 8537109920
USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8537109899
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

BGAx1A10带增益控制的LTE LNA

Infineon Technologies BGAx1A10带增益控制的LTE低噪声放大器 (LNA) 设计用于显著提高数据速率。这些BGAx1A10 LNA具有集成增益控制、旁路功能、较高的系统灵活性、27dB增益动态范围以及低噪声系数。旁路模式可降低电流消耗，移动工业处理器接口 (MIPI) 控制接口可将控制线降至最低。BGAx1A10 LNA的高增益特性促成了高LTE数据速率，高集成增益控制促成了较高的系统灵活性。BGAx1A10 LNA可在高增益模式下提供最佳噪声系数，因此可确保即使是LTE单元边缘也具有较高的数据速率。BGAx1A10 LNA非常适合用于智能手机。

低噪声放大器 (LNA) 集成电路

Infineon Technologies低噪声放大器（LNA）IC利用非常低的功率信号，在不显著降低信噪比的情况下，提高了无线应用的数据速率和接收质量。接收器灵敏度得到提高，用户体验增强，满足市场需求。这些高集成度、小型封装器件具有ESD保护功能，功耗低，非常适合电池供电的移动设备。4G/5G、GPS、移动TV、Wi-Fi和FM便携式设备的用户即使在最差的信号接收条件下，也能享受高速数据接收、快速/精确的导航以及流畅、高品质的流媒体播放。