BGAV1A10E6327XTSA1

Infineon Technologies
726-BGAV1A10E6327XTS
BGAV1A10E6327XTSA1

制造商：

说明：
射频放大器 RF SILICON MMIC

寿命周期:
NRND:
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数据表:
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¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
整卷卷轴（请按4500的倍数订购）
¥3.3222 ¥14,949.90

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: 射频放大器
RoHS:  
3.4 GHz to 3.8 GHz
1.7 V to 1.9 V
5 mA
22 dB
1.3 dB
Low Noise Amplifiers
SMD/SMT
ATSLP-10-3
Si
3 dBm
32 dBm
- 30 C
+ 85 C
Reel
商标: Infineon Technologies
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: MY
输入返回损失: 13 dB
隔离分贝: 32 dB
通道数量: 1 Channel
Pd-功率耗散: 90 mW
产品类型: RF Amplifier
工厂包装数量: 4500
子类别: Wireless & RF Integrated Circuits
测试频率: 3.5 GHz
零件号别名: BGA V1A10 E6327 SP001628074
单位重量: 2.450 mg
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已选择的属性: 0

数据表

Product Catalogs

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CNHTS:
8542339000
CAHTS:
8537109920
USHTS:
8542330001
TARIC:
8537109899
ECCN:
EAR99

BGAx1A10带增益控制的LTE LNA

Infineon Technologies BGAx1A10带增益控制的LTE低噪声放大器 (LNA) 设计用于显著提高数据速率。这些BGAx1A10 LNA具有集成增益控制、旁路功能、较高的系统灵活性、27dB增益动态范围以及低噪声系数。旁路模式可降低电流消耗，移动工业处理器接口 (MIPI) 控制接口可将控制线降至最低。BGAx1A10 LNA的高增益特性促成了高LTE数据速率，高集成增益控制促成了较高的系统灵活性。BGAx1A10 LNA可在高增益模式下提供最佳噪声系数，因此可确保即使是LTE单元边缘也具有较高的数据速率。BGAx1A10 LNA非常适合用于智能手机。

低噪声放大器 (LNA) 集成电路

Infineon Technologies低噪声放大器（LNA）IC利用非常低的功率信号，在不显著降低信噪比的情况下，提高了无线应用的数据速率和接收质量。接收器灵敏度得到提高，用户体验增强，满足市场需求。这些高集成度、小型封装器件具有ESD保护功能，功耗低，非常适合电池供电的移动设备。4G/5G、GPS、移动TV、Wi-Fi和FM便携式设备的用户即使在最差的信号接收条件下，也能享受高速数据接收、快速/精确的导航以及流畅、高品质的流媒体播放。

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