TSCD 650V SiC Schottky Diodes

Taiwan Semiconductor TSCD 650V SiC Schottky Diodes feature a maximum junction temperature of +175°C and ensure robust performance under challenging conditions. Taiwan Semiconductor TSCD diodes have an MPS structure that enhances ruggedness to forward current surge events, making them suitable for high-demand scenarios. These diodes facilitate high-speed switching and boast a high forward surge capability, enabling efficient operation in various power supply systems. Additionally, the positive temperature coefficient on VF ensures stability across temperature ranges.

结果: 16
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
配置
If - 正向电流
Vrrm - 重复反向电压
Vf - 正向电压
Ifsm - 正向浪涌电流
Ir - 反向电流
最小工作温度
最大工作温度
资格
封装
Taiwan Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 16A, 650V, SiC Schottky Diode
数据表
1,000库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 16 A 650 V 1.38 V 100 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 16A, 650V, SiC Schottky Diode
数据表
997库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 16 A 650 V 1.38 V 100 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 20A, 650V, SiC Schottky Diode
数据表
977库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 20 A 650 V 1.38 V 128 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 6A, 650V, SiC Schottky Diode
数据表
984库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 6 A 650 V 1.32 V 44 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 8A, 650V, SiC Schottky Diode
数据表
996库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.35 V 72 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 10A, 650V, SiC Schottky Diode
数据表
1,000库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 10 A 650 V 1.34 V 84 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 12A, 650V, SiC Schottky Diode
数据表
978库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 12 A 650 V 1.36 V 88 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 16A, 650V, SiC Schottky Diode
数据表
200库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 16 A 650 V 1.33 V 68 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 30A, 650V, SiC Schottky Diode
数据表
300库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 30 A 650 V 1.36 V 128 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 40A, 650V, SiC Schottky Diode
数据表
274库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 40 A 650 V 1.33 V 140 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 20A, 650V, SiC Schottky Diode
数据表
290库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 20 A 650 V 1.34 V 88 A 20 uA AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 8A, 650V, SiC Schottky Diode
数据表
527库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.35 V 72 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 10A, 650V, SiC Schottky Diode
数据表
978库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 10 A 650 V 1.34 V 84 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 12A, 650V, SiC Schottky Diode
数据表
1,000库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 12 A 650 V 1.65 V 88 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 6A, 650V, SiC Schottky Diode
数据表
15库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 6 A 650 V 1.32 V 44 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 20A, 650V, SiC Schottky Diode
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 20 A 650 V 1.38 V 128 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube