SI8410DB-T2-E1

Vishay Semiconductors
78-SI8410DB-T2-E1
SI8410DB-T2-E1

制造商：

说明：
MOSFET 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1 x 1

数据表:
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封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥10.8367 ¥10.84
¥7.4241 ¥74.24
¥5.2319 ¥523.19
¥4.2149 ¥2,107.45
¥3.8646 ¥3,864.60
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥3.3335 ¥10,000.50
¥3.2657 ¥19,594.20
¥3.1753 ¥76,207.20
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
20 V
5.7 A
37 mOhms
- 8 V, 8 V
850 mV
10.4 nC
- 55 C
+ 150 C
1.8 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
产品类型: MOSFETs
系列: SI8
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
找到的产品:
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

TrenchFET第四代MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET®第四代MOSFET是新一代TrenchFET®系列功率MOSFET，采用PowerPAK® SO-8和1212-8S封装，并具有业内超低的导通电阻和低栅极总电荷。TrenchFET第四代MOSFET具有超低RDS(on)特性，因此进一步降低了导通损耗以及功耗。TrenchFET MOSFET还采用了节省空间的PowerPAK® 1212-8 封装，能以三分之一的尺寸实现相近的效率。典型应用包括大功率DC/DC转换器、同步整流器、太阳能微型逆变器以及电机驱动开关。

Si8410DB N 沟道 20V (D-S) MOSFET

威世 Si8410DB 是 N 沟道 20V (D-S) 超小、超薄型 MOSFET，采用 Micro Foot 封装，占位面积为 1mm x 1mm。它具有 20V 的漏源电压，符合 RoHS 指令，无卤素。Si8410DB 通常用于负载开关、电源管理和高速开关应用。
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工业电源解决方案

Vishay提供业界最广泛的半导体和无源元件产品组合，适用于工业电源应用。Vishay工业电源用产品组合包括功率MOSFET、功率IC、整流器、二极管、电容器、电阻器和电感器。

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