STL320N4LF8

STMicroelectronics
511-STL320N4LF8
STL320N4LF8

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说明：
MOSFET N-channel enhancement mode logic level 40V 0.8mOhm 360A STripFET F8 Power MOSFET
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整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

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数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥24.5662 ¥24.57
¥15.8765 ¥158.77
¥11.6616 ¥1,166.16
¥9.7632 ¥4,881.60
¥8.4411 ¥8,441.10
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥8.0004 ¥24,001.20
¥7.9891 ¥47,934.60
24,000 报价
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
40 V
360 A
800 uOhms
- 20 V, 20 V
2 V
43 nC
- 55 C
+ 175 C
188 W
Enhancement
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
产品类型: MOSFETs
系列: STripFET F8
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
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已选择的属性: 0

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Other

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

STL320N4LF8 N沟道STripFET F8功率MOSFET

意法半导体  STL320N4LF8 N沟道STripFET F8功率MOSFET 采用STripFET F8沟槽式MOSFET技术制造而成。 该器件完全符合工业级标准。STL320N4LF8可降低导通电阻和开关损耗，同时优化体漏极二极管特性。该MOSFET节能，确保电源转换和电机控制电路中的噪声低。

STripFET F8N通道功率MOSFET

STMicroelectronics的 STripFET F8 N沟道功率MOSFET符合AEC-Q101标准，并提供30V至150V的全面封装解决方案，以满足超高功率密度解决方案的所有要求。这些低压MOSFET采用STPOWER STripFET F8技术。条形场效应晶体管F8技术通过降低导通电阻和开关损耗，同时优化体二极管特性，来节省能量并确保电源转换、电机控制和配电电路的低噪声。STMicroelectronics的 F8 N沟道功率MOSFET可简化系统设计，提高汽车、计算机/外设、数据中心、电信、太阳能、电源/转换器、电池充电器、家用/专业电器、游戏、无人机等应用的效率。

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