标准N通道耗尽型功率MOSFET

IXYS标准系列500V - 1700V N通道耗尽型功率MOSFET是需要负栅极偏置才能关断的耗尽型MOSFET。虽然这些模块保持在等于或高于零栅极偏置电压,但具有类似的MOSFET特性。该系列适用于电平转换、固态继电器、电流调节器和有源负载。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
IXYS MOSFET TO247 1.7KV 1A N-CH DEPL 907库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 1 A 16 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 47 nC - 55 C + 150 C 290 W Depletion Tube
IXYS MOSFET 0.1 Amps 1000V 110 Rds 436库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 400 mA 80 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 5.8 nC - 55 C + 150 C 25 W Depletion Tube
IXYS MOSFET 0.2 Amps 500V 30 Rds 3,739库存量
最低: 1
倍数: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 200 mA 30 Ohms - 20 V, 20 V 5 V - 55 C + 150 C 1.1 W Depletion Tube
IXYS MOSFET MOSFET N-CH DEPLETN 1000V 100MA TO-25 595库存量
最低: 1
倍数: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 100 mA 80 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 5.8 nC - 55 C + 150 C 1.1 W Depletion Tube
IXYS MOSFET TO263 1.7KV 1A N-CH DEPL
277预期 2026/4/30
最低: 1
倍数: 1

Si SMD/SMT TO-263HV-2 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 1 A 16 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 47 nC - 55 C + 150 C 290 W Depletion Tube