TRSxxN65FB 650V SiC肖特基势垒二极管

Toshiba TRSxxN65FB 650V SiC碳化硅肖特基势垒二极管 (SBD) 是第2代碳化硅 (SiC) SBD ，采用改进的结势垒控制肖特基结构 (JBS) 芯片设计。该系列器件具有高浪涌电流能力和低损耗特性，以及非重复峰值正向浪涌电流额定值。TRSxxN65FB二极管采用TO-247封装，具有四个正向直流额定电流（12A、16A、20A和24A）（两个支路），支持增加设备功率。薄晶圆技术可确保低正向电压和低开关损耗。典型应用包括功率因数校正 (PFC)、太阳能逆变器、服务器不间断电源 (UPS)、通信设备、多功能打印机、直流-直流转换器以及电动汽车的供电设施。

结果: 4
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
配置
If - 正向电流
Vrrm - 重复反向电压
Vf - 正向电压
Ifsm - 正向浪涌电流
Ir - 反向电流
最大工作温度
封装
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=16A
数据表
30库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 16 A 650 V 1.6 V 130 A 400 nA + 175 C Tube
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=12A
数据表
11库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 12 A 650 V 1.6 V 104 A 300 nA + 175 C Tube
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 RECT 650V 10A RDL SIC SKY
数据表
60库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 20 A 650 V 1.6 V 158 A 500 nA + 175 C Tube
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=24A
数据表
115库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 24 A 650 V 1.6 V 184 A 600 nA + 175 C Tube