结果: 4
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
数据表
687库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.75 V - 20 V, 20 V 75 A 480 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT2 Tube


Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 8 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
数据表
225库存量
720在途量
最低： 1
倍数： 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 21 A 106 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
数据表
258库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 30 A 235 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT3 Tube

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
数据表
310库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 50 A 349 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT4 Tube