国际整流器 1200V 第 8 代 IGBT

国际整流器 1200V 第 8 代 IGBT 采用 IR 最新一代有沟槽栅、场终止技术，工业标准 TO-247 封装，拥有同类最佳的性能，适用于工业和节能型应用。第 8 代技术提供软关断特性，适用于电机驱动应用，尽量减小 dv/dt 以降低 EMI，和过电压，同时提高了可靠性和耐用性。这些第 8 代 IGBT 具有从 8A 至 60A 的电流额定值，其中 V CE(导通) 典型值为 1.7V，短路保护额定值为 10µs，这降低了功率耗散，从而提高了功率密度和鲁棒性 1200V 第 8 代 IGBT 采用薄晶片技术，改进了热阻性能，最大结温为 175ºC。
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结果: 4
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装


Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 8 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
数据表
7库存量
240预期 2026/3/12
最低： 1
倍数： 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 21 A 106 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
数据表
23库存量
240预期 2026/4/2
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 30 A 235 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT3 Tube

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
数据表
240库存量
720在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 50 A 349 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT4 Tube

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
数据表
484在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.75 V - 20 V, 20 V 75 A 480 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT2 Tube