NSF0x120L4A0 N 沟道 MOSFET

Nexperia NSF0x120L4A0 N沟道MOSFET是基于碳化硅（SiC）的1200V功率MOSFET，采用成熟的4引脚TO-247塑料封装。这些MOSFET具有出色的漏源导通电阻温度稳定性。该系列具有低开关损耗、快速反向恢复和快速开关速度。Nexperia MOSFET采用额外的Kelvin源引脚，因此可提供更快的换向和更好的开关。NSF0x120L4A0模块具有22V最大栅极-源极电压、+175°C最高结温，并符合EU RoHS指令。典型应用包括电动汽车（ev）充电基础设施、光伏逆变器、开关模式电源（SMPS）、不间断电源和电机驱动器。