NTTFS012N10MDTAG

Name: onsemi NTTFS012N10MDTAG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFS012N10MDTAG
Price: 15.81 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTTFS012N10MDTAG

制造商编号：

NTTFS012N10MDTAG

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL

数据表:

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	¥17.8653	¥17.87
	¥11.8311	¥118.31
	¥8.0004	¥800.04
	¥6.3732	¥3,186.60
	¥6.0568	¥6,056.80
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
	¥5.4918	¥8,237.70
	¥5.0172	¥15,051.60

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
封装 / 箱体:	WDFN-8
商标名:	PowerTrench
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
产品类型:	MOSFETs
系列:	NTTFS012N10MD
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors

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数据表

NTTFS012N10MDTAG 数据表

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PowerTrench技术

安森美 (onsemi) PowerTrench技术代表了PowerTrench技术的进步，特别是从T6到T10的转变标志着电力电子产品领域的突破。由安森美 (onsemi) 开发的PowerTrench MOSFET可为各种应用提供增强的效率和性能。从T6/T8到T10的转变显著提高了导通电阻和开关性能，这对于节能设计至关重要。

NTTFS012N10MD N 通道 MOSFET

安森美 (onsemi) NTTFS012N10MD N沟道MOSFET设计采用先进的PowerTrench^® 工艺和屏蔽栅极技术。此工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻R_DS(on)，从而最大限度地降低导通损耗，同时仍然保持卓越的开关性能。NTTFS012N10MD MOSFET具有低Q_G 和电容值，可以最大限度地降低驱动器损耗，此外还具有低Q_RR 和软恢复体二极管，以及可以提高轻负载效率的低Q_OSS 。典型应用包括隔离式直流-直流转换器中的一次侧开关、交流-直流适配器、直流-直流和交流-直流中的同步整流、BLDC电机、负载开关和太阳能逆变器。