SIHP080N60E-GE3

Vishay / Siliconix
78-SIHP080N60E-GE3
SIHP080N60E-GE3

制造商：

说明：
MOSFET TO220 600V 35A N-CH MOSFET

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¥23.8204 ¥2,382.04
¥21.1762 ¥10,588.10
¥18.0348 ¥18,034.80

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
35 A
80 mOhms
- 30 V, 30 V
5 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
227 W
Enhancement
Tube
商标: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降时间: 31 ns
正向跨导 - 最小值: 4.6 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 96 ns
系列: SIHP E
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 37 ns
典型接通延迟时间: 31 ns
单位重量: 2 g
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已选择的属性: 0

数据表

Technical Resources

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CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

SiHP080N60E E系列功率MOSFET

Vishay/Siliconix SiHP080N60E E系列功率MOSFET采用第四代E系列技术和TO-220AB封装。SiHP080N60E具有低品质因数 (FOM) Ron x Qg和低有效电容 (CO(er))。Vishay/Siliconix SiHP080N60E E系列功率MOSFET设计用于服务器和电信、SMPS和PFC电源应用。

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