CLP24H4S30PXY

Name: Ampleon CLP24H4S30PXY
Brand: Ampleon
SKU: 94-CLP24H4S30PXY
Price: 477.56 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

94-CLP24H4S30PXY

制造商编号：

CLP24H4S30PXY

制造商：

Ampleon

说明：

GaN 场效应晶体管 CLP24H4S30P/DFN-6.5X7/REEL

寿命周期:

新产品:

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数据表:

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	¥539.6428	¥539.64
	¥489.0979	¥4,890.98
整卷卷轴（请按100的倍数订购）
	¥438.4739	¥43,847.39

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Ampleon
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN-6
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	150 V
Id-连续漏极电流:	774 uA
Vgs - 栅极-源极电压:	- 15 V, 2 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	- 2.2 V
最大工作温度:	+ 225 C
商标:	Ampleon
增益:	18.4 dB
湿度敏感性:	Yes
输出功率:	30 W
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品类型:	GaN FETs
工厂包装数量:	100
子类别:	Transistors
技术:	GaN SiC
类型:	RF Power MOSFET

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数据表

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CLP24H4S30P GaN-SiC HEMT Power Transistor

Ampleon CLP24H4S30P GaN-SiC HEMT Power Transistor is a high-efficiency 30W device designed for continuous wave (CW) applications within the 2400MHz to 2500MHz frequency range. Engineered for use in industrial, scientific, medical, and consumer cooking systems, the Ampleon CLP24H4S30P offers excellent power performance and thermal stability. The device features an internally input-matched design and supports broadband operation, minimizing the need for complex external matching circuits. Housed in a compact 7mm x 7mm DFN surface-mount package, the CLP24H4S30P is ideal for compact, high-power RF amplifier designs.