LMG341xR150 GaN FET
Texas Instruments LMG341xR150 GaN FET集成了驱动器和保护功能，可让设计人员在电动电子系统中实现新的功率密度水平和效率。LMG341xR150 GaN FET具有超低输入和输出电容、零反向恢复（可将开关损耗降低高达80%）以及低开关节点振铃（可降低EMI)。这些特性支持高密度、高效拓扑结构，例如推拉输出电路PFC。
Texas Instruments LMG341xR150 GaN FET集成了驱动器和保护功能，可让设计人员在电动电子系统中实现新的功率密度水平和效率。LMG341xR150 GaN FET具有超低输入和输出电容、零反向恢复（可将开关损耗降低高达80%）以及低开关节点振铃（可降低EMI)。这些特性支持高密度、高效拓扑结构，例如推拉输出电路PFC。