NBT SRAMs

GSI Technology NBT SRAMs are 144Mbit and 288Mbit Synchronous Static SRAMs that utilize all available bus bandwidth. The SRAMs achieve this by eliminating the need to insert deselect cycles when the device is switched from read to write cycles. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. Because it is a synchronous device, address, data inputs, and read/write control inputs are captured on the rising edge of the input clock.

结果: 1,613
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 存储容量
组织
访问时间
最大时钟频率
接口类型
电源电压-最大
电源电压-最小
电源电流—最大值
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5/3.3V 4M x 36 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 4 M x 36 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 455 mA, 620 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5/3.3V 4M x 36 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 4 M x 36 4 ns 400 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 490 mA, 710 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 8M x 18 144M
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 10
倍数： 10
144 Mbit 8 M x 18 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 390 mA, 490 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 8M x 18 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 8 M x 18 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 315 mA, 365 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 8M x 18 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 8 M x 18 7.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 325 mA, 400 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 8M x 18 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 8 M x 18 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 355 mA, 455 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 8M x 18 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 8 M x 18 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 350 mA, 400 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 8M x 18 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 8 M x 18 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 315 mA, 365 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 8M x 18 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 8 M x 18 7.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 360 mA, 435 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 8M x 18 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 8 M x 18 7.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 325 mA, 400 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 8M x 18 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 8 M x 18 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 390 mA, 490 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 4M x 36 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 4 M x 36 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 340 mA, 395 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 4M x 36 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 4 M x 36 7.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 350 mA, 440 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 4M x 36 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 4 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 380 mA, 500 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 4M x 36 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 4 M x 36 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 375 mA, 430 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 4M x 36 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 4 M x 36 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 340 mA, 395 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 4M x 36 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 4 M x 36 7.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 385 mA, 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 1.8/2.5V 4M x 36 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 4 M x 36 7.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 350 mA, 440 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 4M x 36 144M
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

144 Mbit 4 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 415 mA, 535 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 170 mA, 180 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 230 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
数据表
无库存
最低： 36
倍数： 36

18 Mbit 1 M x 18 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 240 mA, 285 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
数据表
无库存
最低： 36
倍数： 36

18 Mbit 1 M x 18 4.2 ns 375 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 320 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
数据表
无库存
最低： 36
倍数： 36

18 Mbit 1 M x 18 4 ns 400 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 255 mA, 335 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 190 mA, 200 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray