IXYT30N450HV和IXYH30N450HV XPT™ IGBT

IXYS IXYT30N450HV和IXYH30N450HV高压XPT™ IGBT具有4.5kV最大集电极-发射极电压和3.9V最大集电极-发射极饱和电压。IXYS IXYT30N450HV和IXYH30N450HV IGBT具有低栅极驱动要求和430W功率密度。该系列非常适合用于开关模式和谐振模式电源以及电容器放电电路、交流开关等。

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 封装 / 箱体 安装风格 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 栅极/发射极最大电压 在25 C的连续集电极电流 Pd-功率耗散 最小工作温度 最大工作温度 封装
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 4500V 30A IGBT 1,288库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247HV-3 Through Hole Single 4.5 kV 3.9 V - 20 V, 20 V 60 A 430 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO268 4500V 30A XPT 97库存量
300预期 2026/8/3
最低: 1
倍数: 1
Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 4.5 kV 3.9 V - 20 V, 20 V 60 A 430 W - 55 C + 150 C Tube