集成MOSFET解决方案

Vishay集成MOSFET解决方案将各种元件集成到单一芯片中，可提高功率密度、提高效率、简化设计并降低物料清单 (BOM) 成本。这些单芯片和多芯片MOSFET集成了肖特基势垒二极管和ESD保护等特性。这些MOSFET采用低导通电阻N沟道和P沟道TrenchFET®技术，具有低热阻。

结果: 104
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Vishay Semiconductors MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
数据表
无库存
最低： 3,000
倍数： 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAIR-6x5-8 N-Channel 2 Channel 30 V 12 A, 16 A 24 mOhms, 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V, 1.2 V 12 nC, 23 nC - 55 C + 150 C 20 W, 33 W Enhancement TrenchFET Reel
Vishay / Siliconix MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F
数据表
无库存
最低： 6,000
倍数： 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAIR-6x5-8 N-Channel 2 Channel 30 V 60 A 3.8 mOhms, 1.17 mOhms - 16 V, 20 V 1.1 V 24.5 nC, 100 nC - 55 C + 150 C 38 W, 83 W Enhancement TrenchFET, SkyFET, PowerPAIR Reel
Vishay Semiconductors MOSFET 40-V N- & P-CH COMMON DRAIN + 200-V
数据表
无库存
最低： 2,000
倍数： 2,000
: 2,000

Si SMD/SMT Triple die N-Channel, P-Channel 3 Channel 40 V, 200 V 20 A, 30 A 9.2 mOhms, 30 mOhms, 60 mOhms - 25 V, 25 V 1.5 V, 2.5 V 14 nC, 23 nC, 30.2 nC - 55 C + 175 C 48 W, 60 W Enhancement TrenchFET Reel
Vishay Semiconductors MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
数据表
无库存
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 2 Channel 30 V 8 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 21 nC - 55 C + 150 C 17.8 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel