JMZV8.2B 5mA齐纳二极管

ROHM Semiconductor JMZV8.2B 5mA齐纳二极管采用小功率模塑封装 (PMDE)，适合电压调节应用。这些设备的齐纳电压 [VZ(V)] 在5.0mA [IZ(mA)] 时为8.02（最小值）和8.36（最大值）。ROHM Semiconductor JMZV8.2B 5mA的最大耗散功率 (PD) 为1000mW，最大结温 (Tj) 为+150°C。这些设备提供汽车版本 (JMZVTF8.2B)，符合AEC-Q101认证要求。

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 Vz - 齐纳电压
安装风格
Pd-功率耗散
Zz - 齐纳阻抗
最大工作温度
配置
资格
封装
ROHM Semiconductor 稳压二极管 稳压二极管, 8.2V, 1000mW
数据表
2,396库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000
8.36 V SMD/SMT 1 W 60 Ohms + 150 C Single AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor 稳压二极管 稳压二极管, 8.2V, 1000mW
数据表
2,100库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000
8.36 V SMD/SMT 1 W 60 Ohms + 150 C Single Reel, Cut Tape