RS1G201ATTB1

ROHM Semiconductor
755-RS1G201ATTB1
RS1G201ATTB1

制造商：

说明：
MOSFET HSOP8 P-CH 40V 20A

数据表:
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库存量: 2,280

库存：
2,280
可立即发货
在途量:
2,500
预期 2026/12/3
生产周期：
18
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥31.6852 ¥31.69
¥20.679 ¥206.79
¥15.0516 ¥1,505.16
¥12.656 ¥6,328.00
¥11.9893 ¥11,989.30
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥11.0062 ¥27,515.50

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
HSOP-8
P-Channel
1 Channel
40 V
78 A
5.2 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
130 nC
+ 150 C
40 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 250 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 98 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 P Channel
典型关闭延迟时间: 330 ns
典型接通延迟时间: 24 ns
零件号别名: RS1G201AT
单位重量: 771.020 mg
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

Application Notes

Specification Sheets

此功能要求启用JavaScript。

合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

RS1G201ATTB1功率MOSFET

ROHM Semiconductor RS1G201ATTB1功率MOSFET具有无铅电镀、低导通电阻，采用HSOP8小型表面贴装封装。该MOSFET的工作温度范围为-55°C 至150°C，漏源电压为-40V，脉冲漏极电流为±80A，栅极-源极电压为±20V。RS1G201ATTB1功率MOSFET非常适合用于负载开关。

电动汽车 (EV) 解决方案

ROHM Semiconductor电动汽车 (EV) 解决方案旨在提高先进电动汽车的效率和性能。ROHM提供针对各种解决方案的优化产品，重点是EV专用单元，如主逆变器、DC-DC转换器、车载充电器和电动压缩机。

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