MPQ1918半桥GaN/MOSFET驱动器

单片电源系统(MPS) MPQ1918半桥GaN/MOSFET驱动器设计用于驱动具有低栅极阈值电压的增强模式氮化镓(GaN) FET或N沟道MOSFET。这些半桥驱动器具有独立的高侧(HS)和低侧(LS)脉冲宽度调制(PWM)输入。MPQ1918半桥驱动器采用自举技术,以便HS驱动器可在高达100VDC电压下工作。这些驱动器具有3.7V至5.5V (VCC)电压范围、0.27Ω/1.2Ω下拉/上拉电阻以及用于可调导通和关断功能的单独栅极输出。MPQ1918半桥驱动器符合AEC-Q100 1级标准,采用FCQFN-14封装。典型应用包括半桥和全桥转换器、音频D类放大器、同步降压转换器和电源模块。

结果: 2
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Monolithic Power Systems (MPS) 栅极驱动器 100V, 1.6A, 5A, EMI-Optimized Half-Bridge GaN Driver 4,299库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 500

Half-Bridge Drivers Half-Bridge SMD/SMT FCQFN-14 1 Driver 1 Output 5 A 4.5 V 5.5 V Non-Inverting 5 ns 3 ns - 40 C + 125 C MPQ1918 Reel, Cut Tape, MouseReel
Monolithic Power Systems (MPS) 栅极驱动器 100V, 1.6A, 5A, EMI-Optimized Half-Bridge GaN Driver

Half-Bridge Drivers Half-Bridge SMD/SMT FCQFN-14 1 Driver 1 Output 5 A 4.5 V 5.5 V Non-Inverting 5 ns 3 ns - 40 C + 125 C MPQ1918 Reel