MPQ1918半桥GaN/MOSFET驱动器
单片电源系统(MPS) MPQ1918半桥GaN/MOSFET驱动器设计用于驱动具有低栅极阈值电压的增强模式氮化镓(GaN) FET或N沟道MOSFET。这些半桥驱动器具有独立的高侧(HS)和低侧(LS)脉冲宽度调制(PWM)输入。MPQ1918半桥驱动器采用自举技术,以便HS驱动器可在高达100VDC电压下工作。这些驱动器具有3.7V至5.5V (VCC)电压范围、0.27Ω/1.2Ω下拉/上拉电阻以及用于可调导通和关断功能的单独栅极输出。MPQ1918半桥驱动器符合AEC-Q100 1级标准,采用FCQFN-14封装。典型应用包括半桥和全桥转换器、音频D类放大器、同步降压转换器和电源模块。
