Siliconix第四代EF系列MOSFET

Vishay Siliconix第四代EF系列MOSFET具有极低的品质因数 (FOM),旨在实现高性能开关和高效率。MOSFET FOM通过导通电阻 (R (DS)ON) 乘以栅极电荷 (Qg) 计算得到。这些MOSFET基于Vishay第四代系列超级结技术,在VGS=10V时具有0.088Ω至0.225Ω的低典型导通电阻范围,此外,栅极电荷低至21nC。为提高开关性能,这些器件还具有低有效输出电容(Co(er) 和Co(tr)), 因此可降低导通与开关损耗,从而节省能源。

结果: 22
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Vishay / Siliconix MOSFET TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET 832库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.4 A 168 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 600V PowerPAK 8x8 N-CHANNEL 3,179库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-8 x 8 N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 71 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 50 nC - 55 C + 150 C 202 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 600V 16A N-CH MOSFET 1,196库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 51 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET TO252 600V 19A N-CH MOSFET 2,733库存量
最低: 1
倍数: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 201 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 21 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 600V 41A N-CH MOSFET 1,368库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 41 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 51 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 600V 18A N-CH MOSFET 1,338库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 18 A 225 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 65 nC - 55 C + 150 C 223 W Enhancement TrenchFET
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 600V 29A N-CH MOSFET 1,680库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 88 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement TrenchFET
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 600V 8.4A N-CH MOSFET 1,520库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.4 A 193 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET E Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode 845库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET TO247 600V 41A N-CH MOSFET 952库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 41 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 27 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 600V 25A N-CH MOSFET 741库存量
最低: 1
倍数: 1

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 31 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET PWRPK 600V 16A N-CH MOSFET 2,503库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK 8 x 8 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 168 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 21 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET PWRPK 600V 23A N-CH MOSFET 2,671库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK 8 x 8 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 109 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 31 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET TO247 600V 25A N-CH MOSFET 493库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 31 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 600V 25A N-CH MOSFET 489库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 109 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 31 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement TrenchFET
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 600V 705库存量
2,000预期 2026/2/12
最低: 1
倍数: 1

Si SMD/SMT TO-263AB-4 N-Channel 1 Channel 600 V 46 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 63 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 600V 41A N-CH MOSFET 1,313库存量
最低: 1
倍数: 1

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 41 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 51 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET 946库存量
最低: 1
倍数: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 8.4 A 168 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO247 600V 61A N-CH MOSFET 601库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 61 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 84 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TOLL 600V 47A E SERIES 229库存量
4,000预期 2026/4/13
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 80 V 66 A 12.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 175 C 135 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET PWRPK 600V 21A N-CH MOSFET 1,425库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 35.4 A 2.3 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 65.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 600V 11A N-CH MOSFET 1,000现货供应
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 31 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement