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NVBYST0D8N08XTXG

Name: onsemi NVBYST0D8N08XTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBYST0D8N08XTXG
Price: 59.37 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

863-NVBYST0D8N08XTXG

制造商编号：

NVBYST0D8N08XTXG

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET IN TCPAK 10X12 (FQB8)

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

NVBYST0D8N08XTXG 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFLPAK-16
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	643 A
Rds On-漏源导通电阻:	790 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.6 V
Qg-栅极电荷:	182 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	652 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	PowerTrench
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	14 ns
正向跨导 - 最小值:	324
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	16 ns
系列:	NVBYST0D6N08X
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	86 ns
典型接通延迟时间:	50 ns

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已选择的属性: 0

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数据表

NVBYST0D8N08XTXG 数据表 (PDF)

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 日本
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NVBYST0D6N08X 80V N沟道功率MOSFET

安森美 (onsemi) NVBYST0D6N08X 80V N沟道功率MOSFET具有低Q_RR和软恢复体二极管，采用TCPAK1012 (TopCool) 封装。该MOSFET具有低R_DS(on)，以尽可能减少导通损耗，并具有低Q_G和电容，以尽可能减少驱动器损耗。安森美NVBYST0D6N08X符合AEC-Q101标准，支持PPAP，无铅，无卤素/无溴化阻燃剂 (BFR)，符合RoHS指令。该MOSFET的典型应用包括DC-DC和AC-DC中的同步整流 (SR)、隔离式DC-DC转换器中的一次侧开关、电机驱动器和汽车48V系统。

NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET

安森美 (onsemi) NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET专为要求严苛的电源和汽车应用而设计。NVBYST0D8N08X基于安森美 (onsemi) 先进的MOSFET技术，在低导通损耗与稳健的开关性能之间实现了良好平衡，使其成为兼顾效率与耐用性设计的理想选择。该MOSFET针对高压运行进行了优化，能够承受电源转换、电机控制及负载开关电路中常见的快速开关和大电流应力。