RH7L04 60 V N通道功率MOSFET

ROHM Semiconductor RH7L04 60V N沟道功率MOSFET为车规级MOSFET，其额定漏源电压 (VDSS) 为60V，额定漏极连续电流 (ID) 为±40A，符合AEC-Q101认证要求。这些MOSFET具有低漏源导通电阻 [RDS(ON)]，采用3.3mm x 3.3mm DFN-8 (DFN3333T8LSAB) 封装。ROHM Semiconductor RH7L04 MOSFET非常适用于高级驾驶辅助系统（ADAS）、信息、照明和车身应用。

结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
封装
ROHM Semiconductor MOSFET DFN8 N CHAN 60V
数据表
2,157库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 13.6 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN8 N CHAN 60V
数据表
2,996预期 2026/2/13
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 6.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN8 N CHAN 60V
数据表
3,000预期 2026/2/13
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 13.6 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape