PXP0 P沟道沟槽式MOSFET

Nexperia PXP0 P沟道沟槽式MOSEFT是采用沟槽式MOSFET技术的增强模式场效应晶体管 (FET)。PXP0 P沟道采用MLPAK33 (SOT8002)表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。这些MOSFET与逻辑电平兼容,采用沟槽式MOSFET技术。典型应用包括高侧负载开关、电池管理、直流-直流转换和开关电路。

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Nexperia MOSFET PXP012-30QL/SOT8002/MLPAK33
6,947预期 2027/2/19
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT SOT8002-1-8 P-Channel 1 Channel 30 V 15.2 A 12.8 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 43.4 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET PXP015-30QL/SOT8002/MLPAK33
6,003在途量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT MLPAK33-8 P-Channel 1 Channel 30 V 12.8 A 22 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 24.6 nC - 55 C + 150 C 4.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel