G6K-2F-RF-V 8GHz高频继电器

Omron Electronics G6K-2F-RF-V 8GHz高频继电器非常适合用于高速信号转换 (9.6Gbps)。 DPDT(2c) 继电器具有高频特性（8GHz时的插入损耗为3dB或以下），额定功耗为100mW，灵敏度高。 G6K-2F-RF-V系列采用微型11.7 × 7.9 × 7.1mm封装，占位尺寸比以前的G6K型号小。
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结果: 4
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数量 RoHS ECAD模型 线圈电压
继电器触点形式
触点电流额定值
频率
触点端接
最大开关电流
线圈类型
功耗
绝缘
介入损耗
系列
封装
Omron Electronics 高频/射频继电器 Surface Mount Relay
数据表
20库存量
400预期 2026/5/19
最低： 1
倍数： 1

12 VDC 2 Form C (DPDT-NO, NC) 1 A 8 GHz SMD/SMT 1 A Non-Latching 100 mW 15 dB 3 dB G6K
Omron Electronics 高频/射频继电器 Surface Mount Relay
数据表
1,530在途量
最低： 1
倍数： 1

5 VDC 2 Form C (DPDT-NO, NC) 1 A 8 GHz SMD/SMT 1 A Non-Latching 100 mW 15 dB 3 dB G6K Tube
Omron Electronics 高频/射频继电器 Surface Mount Relay
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

4.5 VDC 2 Form C (DPDT-NO, NC) 1 A 8 GHz SMD/SMT 1 A Non-Latching 100 mW 15 dB 3 dB G6K
Omron Electronics G6K-2F-RF-V DC3
Omron Electronics 高频/射频继电器 Surface Mount Relay
数据表

G6K