TrenchFET第三代P通道功率MOSFET

Vishay/Siliconix TrenchFET®第三代P通道功率MOSFET具有低导通电阻和低电压降,可提高效率并延长电池使用时间。这些功率MOSFET有多种封装尺寸可供选择。该款P通道MOSFET具有适用于各种应用的额定导通电阻。应用包括负载开关、适配器开关、电池开关、直流电机和充电器开关。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Vishay Semiconductors MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70 102,985库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT SC-70-6 P-Channel 1 Channel 30 V 12 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 32 nC - 55 C + 150 C 15.6 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET P-CHANNEL 20V PowerPAK 1212-8S 5,737库存量
36,000在途量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8S P-Channel 1 Channel 20 V 127.5 A 2.7 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 72.2 nC, 157.2 nC - 55 C + 150 C 65.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET -20V Vds 8V Vgs TSOP-6 10,255库存量
42,000预期 2026/2/16
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 20 V 8 A 20 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 52.2 nC - 55 C + 150 C 3.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET -30V Vds; +/-12V Vgs PowerPAK 0806 3,775库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-0806-3 P-Channel 1 Channel 30 V 500 mA 1.573 Ohms - 12 V, 12 V 1.4 V 2 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement TrenchFET; PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70 5,156库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT SC-70-6 P-Channel 1 Channel 20 V 12 A 15 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 75 nC - 55 C + 150 C 19 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel