双N通道功率MOSFET

安森美半导体双N通道功率MOSFET集成有肖特基,采用DFN8 (SO8FL) 封装。这些N沟道功率MOSFET是内置功率级的解决方案,可最大限度地减少电路板占用空间,最大限度地降低寄生电感并降低功耗。该款双N通道功率MOSFET无铅、无卤/无BFR,符合RoHS指令。典型应用包括直流-直流转换器、系统电压轨以及负载点。

结果: 6
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
onsemi MOSFET 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DUAL 1,500库存量
剪切带
¥14.6448
¥12.9837
¥9.0965
¥7.1755
卷轴
¥3.6725
最低: 1
倍数: 1
: 1,500
Si Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 60V LL SO8FL DUAL 11,146库存量
剪切带
¥10.4186
¥4.8364
¥3.7968
¥3.0962
卷轴
¥2.5086
最低: 1
倍数: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 26 A 28 mOhms 20 V 1.2 V 5 nC - 55 C + 175 C 19 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET PT8+ N & PT8 N 1,056库存量
剪切带
¥22.0802
¥12.4074
¥9.6728
¥8.1812
¥7.2433
卷轴
¥6.8478
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel 2 Channel 30 V 56 A, 109 A 7 mOhms, 2.4 mOhms 12 V, 20 V 1 V 17 nC, 62 nC - 55 C + 150 C 23 W, 29 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T6 40V LL S08FL DS 1,989库存量
剪切带
¥19.7637
¥9.5937
¥8.5993
¥6.8591
¥6.0116
卷轴
¥5.8421
最低: 1
倍数: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 145 A 2.65 mOhms 20 V 1.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T6 60V LL S08FL DS 230库存量
4,500预期 2026/11/6
剪切带
¥11.413
¥5.3562
¥3.5821
¥3.1866
卷轴
¥2.9267
最低: 1
倍数: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 42 A 14.4 mOhms 20 V 1.2 V 10 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T6 40V LL S08FL DS
3,000预期 2026/10/16
剪切带
¥14.3962
¥8.9383
¥5.8534
¥4.5991
¥3.9324
卷轴
¥3.9324
最低: 1
倍数: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 52 A 7.4 mOhms 20 V 1.2 V 16 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel