双N通道功率MOSFET

安森美半导体双N通道功率MOSFET集成有肖特基,采用DFN8 (SO8FL) 封装。这些N沟道功率MOSFET是内置功率级的解决方案,可最大限度地减少电路板占用空间,最大限度地降低寄生电感并降低功耗。该款双N通道功率MOSFET无铅、无卤/无BFR,符合RoHS指令。典型应用包括直流-直流转换器、系统电压轨以及负载点。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
onsemi MOSFET 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DUAL 1,500库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 40V LL S08FL DS 2,578库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 145 A 2.65 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T6 60V LL SO8FL DUAL 11,835库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 26 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 5 nC - 55 C + 175 C 19 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET PT8+ N & PT8 N 2,742库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel 2 Channel 30 V 56 A, 109 A 7 mOhms, 2.4 mOhms - 20 V, - 12 V, 12 V, 20 V 1 V 17 nC, 62 nC - 55 C + 150 C 23 W, 29 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T6 40V LL S08FL DS 1,400库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 52 A 7.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 16 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T6 60V LL S08FL DS 564库存量
4,500在途量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 42 A 14.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 10 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel