结果: 3
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 产品
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
在25 C的连续集电极电流
栅极—射极漏泄电流
封装 / 箱体
最小工作温度
最大工作温度
封装
Infineon Technologies IGBT 模块 650 V, 30 A 3-level IGBT module
数据表
14库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 650 V 1.5 V 30 A 100 nA Module - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies F3L400R10W3S7FB11BPSA1
Infineon Technologies IGBT 模块 950 V, 400 A 3-level IGBT module
数据表
1库存量
最低： 1
倍数： 1
SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 950 V 1.4 V 220 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FS3L200R10W3S7FB11BPSA1
Infineon Technologies IGBT 模块 950 V, 200 A 3-level IGBT module
数据表
9库存量
最低： 1
倍数： 1
SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 950 V 1.27 V 70 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray