SIJK5100E-T1-GE3

Vishay
78-SIJK5100E-T1-GE3
SIJK5100E-T1-GE3

制造商：

说明：
MOSFET PWRPK 100V 417A

寿命周期:
新产品:
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¥-.--
总价:
¥-.--
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数量 单价
总价
¥53.2682 ¥53.27
¥36.4764 ¥364.76
¥26.6341 ¥2,663.41
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
¥21.6734 ¥32,510.10

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerPAK-16
N-Channel
1 Channel
100 V
417 A
1.4 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
131 nC
- 55 C
+ 175 C
536 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
商标: Vishay
配置: Single
下降时间: 35 ns
正向跨导 - 最小值: 245 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 18 ns
系列: SIJK5100E
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 54 ns
典型接通延迟时间: 41 ns
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已选择的属性: 0

数据表

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USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

SiJK5100E N 通道 MOSFET

Vishay/Siliconix SiJK5100E N沟道MOSFET是一款TrenchFET® 第五代功率MOSFET，具有100V漏源电压。该MOSFET具有536W最大功耗（+25°C时）、487A连续源极-漏极二极管电流（+25°C时）以及单一配置。SiJK5100E通过UIS测试，无铅和无卤。Vishay/Siliconix SiJK5100E N沟道MOSFET的工作温度范围为-55°C至+175°C。典型应用包括同步整流、自动化、电源、电机驱动控制和电池管理。

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