iS20M6R3S1P

iDEAL Semiconductor
25-IS20M6R3S1P
iS20M6R3S1P

制造商：

说明：
MOSFET N-CH 200V 172A TO-220

寿命周期:
新产品:
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数据表:
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库存量: 844

库存：
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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥64.0145 ¥64.01
¥34.4763 ¥344.76
¥31.6061 ¥3,160.61
¥26.6567 ¥13,328.35

产品属性 属性值 选择属性
iDEAL Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
200 V
172 A
6.3 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
105 nC
- 55 C
+ 175 C
428 W
Enhancement
Tube
商标: iDEAL Semiconductor
配置: Single
下降时间: 7.1 ns
正向跨导 - 最小值: 47 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 5.1 ns
工厂包装数量: 20
子类别: Transistors
晶体管类型: N-Channel
典型关闭延迟时间: 48.7 ns
典型接通延迟时间: 22.4 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
美国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package. This power MOSFET minimizes heat dissipation at both full and partial loads and features high Short-Circuit Withstand Capability (SCWC). The iS20M6R3S1P power MOSFET offers low switching losses, switching charge (QSW), and capacitive stored energy (EOSS). This power MOSFET is fully UIS‑tested and is RoHS compliant. Typical applications include motor control, boost converters, SMPS control FETs, and secondary side synchronous rectifiers.

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