RM2312-T

Rectron
583-RM2312-T
RM2312-T

制造商:

说明:
MOSFET

ECAD模型:
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库存量: 2,404

库存:
2,404 可立即发货
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥3.8081 ¥3.81
¥2.8137 ¥28.14
¥1.5933 ¥159.33
¥1.07576 ¥537.88
¥0.81925 ¥819.25
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥0.71981 ¥2,159.43
¥0.62037 ¥3,722.22
¥0.57065 ¥5,135.85
¥0.51302 ¥12,312.48
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

产品属性 属性值 选择属性
Rectron
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT23-3
N-Channel
1 Channel
20 V
4.5 A
33 mOhms
- 12 V, 12 V
500 mV
10 nC
- 55 C
+ 150 C
1.25 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Rectron
配置: Single
下降时间: 28 ns
正向跨导 - 最小值: 10 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 18 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 60 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RM2312 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Rectron RM2312 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON). The MOSFET features a low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. The device is suitable for use as battery protection or in other switching applications.