Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

结果: 1,447
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
20,000预期 2027/4/19
最低: 1
倍数: 1
最大: 650
: 10,000


Diodes Incorporated MOSFET 30V Comp Pair Enh 20Vgs 55pF 0.6nC
118,580在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 6,000
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET Comp ENH FET 40VDs 20Vgs 1.3W
4,992在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 560
: 2,500


Diodes Incorporated MOSFET FET BVDSS 31V 40V 1.3W 1180pF 21.3nC
6,500预期 2027/2/12
最低: 1
倍数: 1
最大: 300
: 2,500

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-323
294,400在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET N-CHANNEL
26,994预期 2027/3/3
最低: 1
倍数: 1
最大: 820
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R 3K
130,778在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 6,000
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
20,967在途量
最低: 1
倍数: 1
: 10,000


Diodes Incorporated MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 50mOhm 10V 3.6A
90,000预期 2026/10/21
最低: 1
倍数: 1
最大: 2,630
: 10,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
11,940在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,430
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W
28,515在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,690
: 10,000


Diodes Incorporated MOSFET 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W
51,000在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,510
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET FET BVDSS 61V 100V N-Ch 3A 401pF 8.3nC
15,830在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500


Diodes Incorporated MOSFET Dual N-Channel
33,000在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,370
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET Dual N-Channel
29,448在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 760
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET MOSFET,N-CHANNEL
28,731在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,140
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET DUAL N-CH EH MODE 20V 45mOhm 4.5A
17,177在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
53,980在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,770
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23,3K
106,370在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 6,000
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET,N-CHANNEL
22,988预期 2026/8/7
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,030
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 101V-250V
18,392在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 670
: 10,000

Diodes Incorporated MOSFET N-Ch -20V VDSS 230mA 300mW
65,800预期 2026/11/25
最低: 1
倍数: 1
最大: 4,160
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET 30V N-Ch Enh FET 20Vdss 1.5W
10,000预期 2026/8/24
最低: 1
倍数: 1
: 2,500


Diodes Incorporated MOSFET 30V Dual N-Ch Enh 22mOhm 10V 6.7A
19,763在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,190
: 2,500


Diodes Incorporated MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 20Vgss 1.2W 643pF
29,239在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000