Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

结果: 1,447
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Diodes Incorporated MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss
191,423在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 6,000
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET 600mW 30Vdss
30,552在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,900
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
198,529预期 2026/10/21
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V
6,000预期 2027/2/26
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
49,520在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 2,190
: 10,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
44,210预期 2026/7/21
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,490
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
17,149预期 2026/8/21
最低: 1
倍数: 1
: 10,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
13,020在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET N-Ch 50Vds 12Vgs FET Enh Mode 50pF 1Vgs
56,490在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,900
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET Dual N-Channel
78,000预期 2027/2/19
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,780
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
30,000预期 2027/2/19
最低: 1
倍数: 1
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET 60V N-Ch 44mOhm 10V VGS 5.0A
19,294在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET 60V Dual N-Ch FET 44mOhm 10V 5.0A
9,944预期 2027/3/10
最低: 1
倍数: 1
: 10,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS 41V-60V
12,000预期 2026/10/19
最低: 1
倍数: 1
最大: 740
: 4,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R 3K
15,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss SOT23
31,230在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,770
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW
9,927预期 2027/3/15
最低: 1
倍数: 1
最大: 420
: 10,000


Diodes Incorporated MOSFET 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW
38,944在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,190
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET 60V Switching Diode 1.8Ohm at 5Vgs 470mA
9,992预期 2027/2/26
最低: 1
倍数: 1
最大: 800
: 10,000


Diodes Incorporated MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss TSOT26
15,000预期 2027/2/19
最低: 1
倍数: 1
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
190,000在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 5,940
: 10,000

Diodes Incorporated MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.4A 32pF
266,474预期 2027/1/15
最低: 1
倍数: 1
最大: 24,000
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET 60V N-Ch Dual Enh 20Vgss 300mW Pd
34,237在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 6,000
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
36,000在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,430
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET 12V P-Ch Enh Mode 19Vgs 2712pF 28.6nC
27,000预期 2027/3/12
最低: 1
倍数: 1
: 3,000