Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

结果: 1,447
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS

Diodes Incorporated MOSFET P-Ch Enh Mode FET 100V 20Vgss 87pF
124,017在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET MOSFET P-CHANNEL SOT-23
70,294预期 2026/10/21
最低: 1
倍数: 1
最大: 950
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET P-channel 1.25W
11,972预期 2026/7/10
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,100
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V
222,320在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 6,000
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
15,000在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,780
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
38,565在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 950
: 2,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
26,897在途量
最低: 1
倍数: 1
: 10,000


Diodes Incorporated MOSFET 30V P-Ch Enh Mode 50mOhm -10Vgs -4.3A
77,679在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 930
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
19,900在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 980
: 10,000


Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
187,427在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,640
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET P-CH. MOSFET BVDSS: 25V-30V, AEC-Q101
47,721预期 2026/11/23
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,670
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET 40V P-Ch Enh Mode 25mOhm -10V -7.2A
19,989在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET 40V P-CH Enhance Mode
5,975预期 2027/2/19
最低: 1
倍数: 1
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
76,649在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,300
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET P-CH ENHANCEMENT MODE MOSFET
30,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 10,000


Diodes Incorporated MOSFET P-Ch 60V Enh Mode 20Vgs 53.1nC 2569pF
17,019在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 470
: 2,500

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
20,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 10,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
9,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET 60V Dual P-Ch Enh FET 60Vds 20Vgs
9,800预期 2027/2/8
最低: 1
倍数: 1
: 10,000


Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
14,948在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 570
: 2,500
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R 3K
8,789预期 2027/4/21
最低: 1
倍数: 1
最大: 430
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFETBVDSS: 41V-60V
10,000在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 810
: 2,500

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
25,967在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60
4,868预期 2026/7/21
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
30,000在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,740
: 3,000