Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

结果: 1,447
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS

Diodes Incorporated MOSFET 25V Dual N-Ch Enh 8Vgss .24A 0.3W
8,981预期 2026/12/18
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,310
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
5,973在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 590
: 3,000



Diodes Incorporated MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V 4库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
10,000预期 2027/3/31
最低: 10,000
倍数: 10,000
: 10,000

Diodes Incorporated MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 549pF 10nC
4,998预期 2026/10/19
最低: 1
倍数: 1
: 2,500


Diodes Incorporated MOSFET N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 8Vgss 40A
2,983预期 2027/4/7
最低: 1
倍数: 1
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET MOSFET,N-CHANNEL
14,830在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,060
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K
5,933预期 2026/11/23
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,110
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET MOSFET
19,335在途量
最低: 1
倍数: 1
: 10,000


Diodes Incorporated MOSFET Dual N-Ch Enh FET 30Vdss 20Vgss 80A
2,500预期 2027/3/22
最低: 1
倍数: 1
: 2,500


Diodes Incorporated MOSFET Dual N-Ch Enh FET 20Vdss 20Vgss 30A
4,409在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Diodes Incorporated MOSFET 350mw 30V DUAL
6,000预期 2027/4/21
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,080
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET 33V Dual N-Ch Enh 30Vgss 250mA 0.35W
5,722在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET N-CHANNEL MOSFET
18,984预期 2026/6/24
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,620
: 10,000

Diodes Incorporated MOSFET Dual N-Channel
6,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET 2N7002 Family
6,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET 60V Single N-Ch FET 44mOhm 10V 5.0A
5,815在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
3,000预期 2026/7/17
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF
19,520在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,770
: 10,000


Diodes Incorporated MOSFET 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 10A
9,990预期 2027/3/19
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,200
: 10,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 X2-DFN1006-3 T&R 3K
17,770在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,670
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS
17,650在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,350
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
29,733在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30V 20Vgss 350mW
34,153预期 2026/8/21
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET 30V N-Ch Enh FET 20Vgss 300mA 1.2A
39,650在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 2,970
: 10,000