Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

结果: 1,447
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS
Diodes Incorporated MOSFET 30V N-Ch Enh FET 20Vgss 300mA 1.2A
29,624在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET 60V N-Ch Dual Enh 20Vgss 300mW Pd
16,106在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-10 X1-DFN1006-3 T&R 10K
33,815在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 2,570
: 10,000


Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS
52,090在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 6,000
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET P-Ch Enh Mode FET 100V 20Vgss 87pF
20,000在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,310
: 10,000

Diodes Incorporated MOSFET P-Ch Enh Mode FET Vdss -12V 8Vgss
5,993在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 720
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET Dual P-Channel
2,883预期 2027/4/9
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET 250mW -20Vdss
2,897预期 2027/6/2
最低: 1
倍数: 1
最大: 620
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET 20V P-Ch Enh FET 10Vgss -80A Idm
2,000预期 2026/10/30
最低: 1
倍数: 1
: 2,000


Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
5,951预期 2027/4/2
最低: 1
倍数: 1
最大: 520
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN2015-3 T&R 3K
3,000预期 2026/10/7
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET -20V -860mA
5,518预期 2026/11/20
最低: 1
倍数: 1
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET P-Ch -20V Enh FET 12Vgss -15A 1.4W
5,953预期 2026/11/23
最低: 1
倍数: 1
最大: 760
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET 20V P-Ch Enh FET 12Vgss PPAP
3,773在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 650
: 2,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R 3K
100在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 V-30V TO252 T&R 2.5K
4,117在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 230
: 2,500

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
2,970预期 2027/5/21
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET P-Ch Enh Mode FET Vdss -30V 25Vgss
3,000预期 2026/9/28
最低: 1
倍数: 1
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET 30V P-CH MOSFET
5,427预期 2026/6/26
最低: 1
倍数: 1
最大: 560
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
3,800预期 2026/7/21
最低: 1
倍数: 1
最大: 340
: 2,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V 2,075库存量
2,500在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Diodes Incorporated MOSFET P-Ch Enh Mode FET 310mW -50Vdss 30Vgss
17,475预期 2027/2/12
最低: 1
倍数: 1
最大: 2,700
: 10,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
5,314预期 2026/11/16
最低: 1
倍数: 1
最大: 910
: 3,000
Diodes Incorporated MOSFET 20V 3.5A P-CHNL
2,000预期 2026/8/21
最低: 1
倍数: 1
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
4,680预期 2027/1/15
最低: 1
倍数: 1
: 2,500