NV250x0LV低电压汽车级串行EEPROM

安森美 (onsemi) NV250x0LV低电压车规级一级串行EEPROM是1Kb、2Kb和4Kb SPI串行EEPROM器件，内部分别组织为128×8、256×8和512×8位。安森美 (onsemi) NV250x0LV器件配备16字节页写缓冲区，支持串行外设接口（SPI）协议。NV250x0LV EEPROM提供软件与硬件写保护功能，包括局部和整个阵列保护。 额外的识别页可永久写保护。这些保护功能使该器件能够可靠地存储汽车系统中的关键校准与配置数据。 

结果: 6
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 存储容量
接口类型
最大时钟频率
组织
封装 / 箱体
电源电压-最小
电源电压-最大
安装风格
数据保留
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
onsemi 电可擦除可编程只读存储器 4KB SPI SER CMOS 电可擦除可编程只读存储器 FOR VCC=1.7V
数据表
2,400库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

4 kbit SPI 20 MHz 512 x 8 SOIC-8 1.7 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 125 C NV25040LV Reel, Cut Tape
onsemi 电可擦除可编程只读存储器 1KB SPI SER CMOS 电可擦除可编程只读存储器 - LOW VCC RANGE
数据表
2,100库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

1 kbit SPI 20 MHz 128 x 8 TSSOP-8 1.7 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 125 C NV25010LV Reel, Cut Tape
onsemi 电可擦除可编程只读存储器 1KB SPI SER CMOS 电可擦除可编程只读存储器 -LOW VCC RANGE
数据表
2,097库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

1 kbit SPI 20 MHz 128 x 8 SOIC-8 1.7 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 125 C NV25010LV Reel, Cut Tape
onsemi 电可擦除可编程只读存储器 4KB SPI SER CMOS 电可擦除可编程只读存储器 FOR VCC=1.7V
数据表
3,000预期 2026/7/17
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

4 kbit SPI 20 MHz 512 x 8 TSSOP-8 1.7 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 125 C NV25040LV Reel, Cut Tape
onsemi 电可擦除可编程只读存储器 2KB SPI SER CMOS 电可擦除可编程只读存储器 TSSOP8 - LOW VCC RANGE
数据表
3,000预期 2026/3/6
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

2 kbit SPI 20 MHz 256 x 8 TSSOP-8 1.7 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 125 C NV25020LV Reel, Cut Tape
onsemi 电可擦除可编程只读存储器 2KB SPI SER CMOS 电可擦除可编程只读存储器 SOIC8 - LOW VCC RANGE
数据表
3,000预期 2026/8/7
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

2 kbit SPI 20 MHz 256 x 8 SOIC-8 1.7 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 125 C NV25020LV Reel, Cut Tape