R6049YN N沟道功率MOSFET

ROHM Semiconductor R6049YN N沟道功率MOSFET为开关应用提供高速开关和低导通电阻。这些单通道增强模式器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，具有600V漏源击穿电压、22A或±49±A连续漏极电流以及65nC总栅极电荷。ROHM R6049YN N沟道功率MOSFET采用TO-220AB-3、TO-220FM-3和TO-247G-3封装选项。

结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 600V 49A, TO-220AB, Power MOSFET: R6049YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
数据表
1,233库存量
1,000预期 2026/10/29
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 49 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 65 nC - 55 C + 150 C 448 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 600V 22A, TO-220FM, Power MOSFET: R6049YNX is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
数据表
1,964库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 65 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 600V 49A, TO-247G, Power MOSFET: R6049YNZ4 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 600 V 49 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 65 nC - 55 C + 150 C 448 W Enhancement Tube