DMP3014SFDE 30 V P-Ch增强型MOSFET

Diodes Incorporated DMP3014SFDE 30V P-Ch增强型MOSFET具有低导通电阻和栅极阈值电压,同时保持卓越的开关性能。此系列器件非常适合用于高效电源管理应用。Diodes Inc. DMP3014SFDE MOSFET采用U-DFN2020-6封装。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K 3,000库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT U-DFN2020-6 P-Channel 1 Channel 30 V 11.4 A 13.5 mOhms - 25 V, 25 V 2.6 V 18 nC - 55 C + 150 C 2.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 10K 24,918库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 10,000

Si SMD/SMT U-DFN2020-6 P-Channel 1 Channel 30 V 11.4 A 13.5 mOhms - 25 V, 25 V 2.6 V 18 nC - 55 C + 150 C 2.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel